4N Silisyum karbür nanopowder Çin Üreticisi
Çinli üretici, 500nm, 300nm, 100nm vb. gibi yüksek saflıkta silisyum karbür nanopowder tedarik etmektedir. Bu, 5N veya daha yüksek saflıkta β-faz silisyum karbürdür. β-faz kübik silisyum karbür, 3C kübik kristal yapısına sahiptir ve benzersiz kristal morfolojisi, 9,5-9,75 Mohs sertliği ile elmasa yaklaşan bir sertlik kazandırır. Yüksek saflıkta β-silisyum karbür tozu, yüksek sıcaklıkta termoset ve kimyasal buhar biriktirme (CVD) yöntemleri kullanılarak üretilir. Ürün, yüksek saflık, yüksek beta faz içeriği, kontrol edilebilir parçacık boyutu, mükemmel sinterleme aktivitesi ve iyi dağılabilirlik özelliklerine sahiptir. Aynı zamanda, kübik silisyum karbür, yüksek ısı iletkenliği, yüksek elektron sürüklenme hızı, yüksek elektron hareketliliği, korozyon direnci ve iyi termal şok direnci gibi mükemmel fizikokimyasal özelliklere sahiptir. Havacılık ve uzay sanayi, yüksek kaliteli seramik, yeni enerji pilleri, yüzey işleme ve yarı iletken endüstrilerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
![]()
![]()
Çinli üretici tarafından üretilen 4N silisyum karbür nanopowder’ın performans özellikleri:
- Yüksek saflıkta, ürün saflığı 5N veya daha yüksek seviyeye ulaşır.
- Kübik faz içeriği %99’a kadar, saf β-faz kristal formu.
- Morfoloji: Geniş bir yelpazede seçilebilir parçacık boyutlarına sahip küresel parçacıklar.
- Düşük oksijen içeriği, %0,3’ten az.
- İyi sinterleme aktivitesi ve kolay dağılım.
- Mükemmel yüksek sıcaklık dayanımı, aşınma direnci, korozyon direnci ve termal şok direnci.
Çinli üretici tarafından üretilen 4N silisyum karbür nanopowder’ın fiziksel indeksi
| kristal yapı | Kübik |
| Kristal fazı | B |
| β içeriği | ≥%99 |
| Erime noktası | 2700° |
| Ayrışma sıcaklığı | 2830°±40° |
| Termal genleşme katsayısı | 2,5-7 x10 -6 /°C |
| Isı iletkenliği | 0,255 W/cm K |
| Mohs sertliği | 9.5-9.75 |
| Vickers sertliği (mikro sertlik) | 3300-3500 kg/mm² |
| Özgül Ağırlık | 3,216 g/cm³ |
Özellikler
| Özellikler | Boyut | SiC saflığı (%) | β yüzdesi | Şekil |
| 5N-βSiC-100nm | 100nm | 5N | ≥%99 | alt küresel |
| 5N-βSiC-300nm | 300nm | 5N | ≥%99 | alt küresel |
| 5N-βSiC-500nm | 500nm | 5N | ≥%99 | alt küresel |
| 5N-βSiC-2um | 2um | 5N | ≥%99 | alt küresel |
| 5N-βSiC-5um | 5µm | 5N | ≥%99 | alt küresel |
| 5N-βSiC-10um | 10um | 5N | ≥%99 | alt küresel |
| 5N-βSiC-10um | 50 µm | 5N | ≥%99 | alt küresel |
| 7N-βSiC-G | 1-10 mm | 7N | ≥%99 | Parçacık |
Çinli Üretici Tarafından Üretilen 4N Silisyum Karbür Nanotozunun Uygulaması
- İnce öğütme
- Hassas silisyum karbür seramikler
- Yeni enerji pilleri
- Yarıiletkenler
- Özel kaplamalar
- Yüksek sıcaklık malzemeleri
- Elektronik bileşenler
SSS:
S: Üretebildiğiniz β-SiC nanopowder’ın saflık derecesi nedir?
A: %99, %99,9 ve %99,99 saflıkta silisyum karbür nanopowder üretebiliyoruz.
S: Kullandığınız SiC nanopowder üretim süreci nedir?
A: Silisyum karbür nanopowder’ı CVD işlemiyle üretiyoruz.




